IEC 63068-3:2020 是国际电工委员会（IEC）制定的关于半导体器件的标准，其全称为《半导体器件 - 用于功率器件的碳化硅单晶外延片非破坏性识别缺陷准
则 - 第 3 部分：使用荧光光谱分析检测缺陷的方法》。本期航裕将对该标准具体介绍：

  1.概述：该标准主要规定了基于光致发光光谱分析（PLS）来检测用于功率器件的碳化硅单晶外延片缺陷的方法，为相关领域提供了统一的测试标准和规范，有
助于确保功率器件的质量和可靠性。

  2.测试方法的概述：标准首先介绍了测试方法的背景和目的，以及测试方法所针对的缺陷类型，让使用者对该测试方法有一个总体的认识和理解，明确其适用范
围和检测目标。

  3.设备要求：说明了进行测试所需的光致发光光谱分析设备的要求，包括设备的型号、精度、稳定性等方面。这确保了测试设备的一致性和准确性，从而保证测
试结果的可靠性和可比性。

  4.样品准备：详细说明了如何准备测试样品，包括样品的尺寸、表面处理、保护膜等要求。规范的样品准备过程是获得准确测试结果的重要前提，有助于减少因
样品差异而导致的测试误差。

  5.测试步骤：详细描述了测试的具体步骤，包括光源的选择、曝光时间、扫描方式、数据处理等。明确的测试步骤使不同的测试人员在按照标准操作时能够获得
较为一致的测试结果，提高了测试的可重复性和准确性。

  6.结果解释：解释了如何根据测试结果来识别缺陷的类型和位置，以及如何评估测试的准确性和可靠性。这帮助使用者正确理解和分析测试数据，从而对碳化硅单
晶外延片的质量做出准确判断。

  该标准对于半导体行业，特别是涉及碳化硅功率器件生产和应用的领域具有重要意义，它提供了一种非破坏性、高精度的缺陷检测方法，有助于提高产品质量、降
低生产成本，并推动相关技术的发展和应用。